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B811


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE -
Ptot 350mW
fT 110MHz
TJ -
el B811 es un transistor de silicio PNP, Uce = 25V, Ic = 1A, d´application: propósito general
Foto: -
Fuente: 2SB811
Información avanzada para B811
OEM:Nippon Elect... [más]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Paquete:-
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario: ↓2SD1021
Lista de tipos similares: ↓BC636, [más]
BC636,2SA1703,2SA1705,2SB1116
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B811


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE -
Ptot 350mW
fT 110MHz
TJ -
el B811 es un transistor de silicio PNP, Uce = 25V, Ic = 1A, d´application: propósito general
Foto: -
Fuente: 2SB811
Información avanzada para B811
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE -
Ptot 350mW
fT 110MHz
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el B811 es un transistor de silicio PNP, Uce = 25V, Ic = 1A, d´application: propósito general
Foto: -
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Información avanzada para B811
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SI PNP transistor
UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE 70-400
Ptot 350mW
fT 110MHz
TJ 150°C
el B811 es un transistor de silicio PNP, Uce = 25V, Ic = 1A, d´application: amplificador de potencia de audiofrecuencia
Foto: -
Fuente: KSB811
Información avanzada para B811
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete:TO-92S
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-
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UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE 70-400
Ptot 350mW
fT 110MHz
TJ 150°C
el B811 es un transistor de silicio PNP, Uce = 25V, Ic = 1A, d´application: amplificador de potencia de audiofrecuencia
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IC -1A
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Ptot 350mW
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TJ 150°C
el B811 es un transistor de silicio PNP, Uce = 25V, Ic = 1A, d´application: amplificador de potencia de audiofrecuencia
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