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B810


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ -
el B810 es un transistor de silicio PNP, Uce = 25V, Ic = 700mA, d´application: baja saturación de voltaje de Uce, propósito general
Foto: -
Fuente: 2SB810
Información avanzada para B810
OEM:Nippon Elect... [más]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Paquete:-
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario: ↓2SD1020
Lista de tipos similares: ↓2SA1705, [más]
2SA1705,2SA1708,2SB1116,2SB1437
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
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B810


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ -
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IC -0.7A
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Ptot 350mW
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B810


SI PNP transistor
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE 35-400
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ 150°C
el B810 es un transistor de silicio PNP, Uce = 25V, Ic = 700mA, d´application: audiofrecuencia, amplificador
Foto: -
Fuente: KSB810
Información avanzada para B810
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete:TO-92S
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UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE 35-400
Ptot 350mW
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TJ 150°C
el B810 es un transistor de silicio PNP, Uce = 25V, Ic = 700mA, d´application: audiofrecuencia, amplificador
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