GT50J101 SI N-IGBT transistor | | UCE | 600V | | UGE | ±20V | IC DC/AC | 50/100A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 400/500nS | TJ | 150°C | Foto: | - | Fuente: | Toshiba IGBT Databook 199...... [más] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | Información avanzada para GT50J101 | OEM: | Toshiba Toky... [más] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Paquete: | 2-21F1C | Hoja de datos (jpg): | disponible | Hoja de datos (pdf): | disponible | OEM Hoja de datos: | - | Tipo complementario:
| - | Lista de tipos similares: ↓ | GN6050E | Búsqueda de tipo similar: | - | | buscar una parte: | buscar |
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