| GT25Q101
SI N-IGBT transistor | | | UCE | 1200V | | | UGE | ±20V | | IC DC/AC | 25/50A | | Ptot | 200W | | TON/TOFF | 400/800nS | | TJ | 150°C | | Foto: | - | | Fuente: | Toshiba IGBT Databook 199...... [más] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | Información avanzada para GT25Q101 | | OEM: | Toshiba Toky... [más] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Paquete: | 2-21F1C | | Hoja de datos (jpg): | disponible | | Hoja de datos (pdf): | disponible | | OEM Hoja de datos: | - | Tipo complementario:
| - | | Lista de tipos similares: ↓ | GN12030E | | Búsqueda de tipo similar: | - | | | buscar una parte: | buscar |
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