Sprachauswahl / Language selection
 
R
X
G
Página:

R1002


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >30
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
el R1002 es un transistor de silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: resistencia de polarización integrada, conmutación
Foto: -
Fuente: KSR1002
Información avanzada para R1002
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete: TO-92
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar

R1002


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >30
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
el R1002 es un transistor de silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: resistencia de polarización integrada, conmutación
Foto: -
Fuente: KSR1002
Información avanzada para R1002
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete: TO-92
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar

R1002


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >30
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
el R1002 es un transistor de silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: resistencia de polarización integrada, conmutación
Foto: -
Fuente: KSR1002
Información avanzada para R1002
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete: TO-92
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar