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R1009


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 40/40V
IC 0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
el R1009 es un transistor de silicio NPN, Uce = 40V, Ic = 100mA, d´application: resistencia de polarización integrada, conmutación
Foto: -
Fuente: KSR1009
Información avanzada para R1009
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete: TO-92
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:-
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R1009


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 40/40V
IC 0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
el R1009 es un transistor de silicio NPN, Uce = 40V, Ic = 100mA, d´application: resistencia de polarización integrada, conmutación
Foto: -
Fuente: KSR1009
Información avanzada para R1009
OEM:Samsung Elec... [más]
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GFX
UCE/UCB 40/40V
IC 0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
el R1009 es un transistor de silicio NPN, Uce = 40V, Ic = 100mA, d´application: resistencia de polarización integrada, conmutación
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