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B679


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
el B679 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 1.5A
Foto: -
Fuente: 2SB679
Información avanzada para B679
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: TO-220
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:2SD689
Lista de tipos similares: ↑BDW54C, [más]
BDW54C,2SB751B
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B679


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
el B679 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 1.5A
Foto: -
Fuente: 2SB679
Información avanzada para B679
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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Tipo complementario:2SD689
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BDW54C,2SB751B
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B679


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
el B679 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 1.5A
Foto: -
Fuente: 2SB679
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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Lista de tipos similares: ↑BDW54C, [más]
BDW54C,2SB751B
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

BDW54C


SI PNP darlington transistor
similar a B679 ver nota
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
el BDW54C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 4A, d´application: transistor de potencia, audiofrecuencia, diodo integrado
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: BDW54C
OEM:Texas Instru... [más]
Texas Instruments
Paquete: TO-220
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Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑BDW24C, [más]
BDW24C,BDW64C
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BDW54C


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
el BDW54C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 4A, d´application: transistor de potencia, audiofrecuencia, diodo integrado
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Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: BDW54C
OEM:Texas Instru... [más]
Texas Instruments
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BDW24C,BDW64C
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BDW54C


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
el BDW54C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 4A, d´application: transistor de potencia, audiofrecuencia, diodo integrado
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: BDW54C
OEM:Texas Instru... [más]
Texas Instruments
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BDW24C,BDW64C
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

2SB751B


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
TJ -
el 2SB751B es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 4A, d´application: transistor de potencia, diodo integrado
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: 2SB751B
OEM:Matsushita D... [más]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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Lista de tipos similares: ↑BD650, [más]
BD650,BD902,BDW24C,BDW64C
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2SB751B


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
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el 2SB751B es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 4A, d´application: transistor de potencia, diodo integrado
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Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: 2SB751B
OEM:Matsushita D... [más]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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2SB751B


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
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el 2SB751B es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 4A, d´application: transistor de potencia, diodo integrado
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Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: 2SB751B
OEM:Matsushita D... [más]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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BD650,BD902,BDW24C,BDW64C
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