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B676


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
el B676 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 80V, Ic = 4A, d´application: transistor de potencia, diodo integrado
Foto: -
Fuente: 2SB676
Información avanzada para B676
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: TO-220
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario: ↓2SD686
Lista de tipos similares: ↓BD902, [más]
BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
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B676


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
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IC -4A
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