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B679


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
el B679 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 1.5A
Foto: -
Fuente: 2SB679
Información avanzada para B679
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: TO-220
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario: ↓2SD689
Lista de tipos similares: ↓BDW54C, [más]
BDW54C,2SB751B
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
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B679


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
el B679 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 1.5A
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Fuente: 2SB679
Información avanzada para B679
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
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