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BUP313D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 32A
Ptot 200W
TON/TOFF 115/470nS
TJ -
el BUP313D es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1kV, Ic = 32A, d´application: propósito general, diodo integrado
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para BUP313D
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-3P
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑BUP307D
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar

BUP313D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 32A
Ptot 200W
TON/TOFF 115/470nS
TJ -
el BUP313D es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1kV, Ic = 32A, d´application: propósito general, diodo integrado
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para BUP313D
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-3P
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SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 32A
Ptot 200W
TON/TOFF 115/470nS
TJ -
el BUP313D es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1kV, Ic = 32A, d´application: propósito general, diodo integrado
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Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para BUP313D
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-3P
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Lista de tipos similares: ↑BUP307D
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar
Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

BUP307D


SI N-IGBT transistor
similar to BUP313D, see note
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ -
el BUP307D es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 35A, d´application: propósito general, diodo integrado
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: BUP307D
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-3P
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑BUP314D
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SI N-IGBT transistor
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GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ -
el BUP307D es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 35A, d´application: propósito general, diodo integrado
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Tipo similar: BUP307D
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-3P
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GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
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el BUP307D es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 35A, d´application: propósito general, diodo integrado
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Tipo similar: BUP307D
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-3P
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Lista de tipos similares: ↑BUP314D
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo
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