R
X
G
Página:

BUP309


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1700V
UGE 20V
IC 25A
Ptot 310W
Time 200nS
TJ -
el BUP309 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.7kV, Ic = 25A, d´application: propósito general
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para BUP309
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-3P
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar

BUP309


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1700V
UGE 20V
IC 25A
Ptot 310W
Time 200nS
TJ -
el BUP309 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.7kV, Ic = 25A, d´application: propósito general
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para BUP309
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-3P
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar

BUP309


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1700V
UGE 20V
IC 25A
Ptot 310W
Time 200nS
TJ -
el BUP309 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.7kV, Ic = 25A, d´application: propósito general
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para BUP309
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-3P
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar