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BUP307D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ -
el BUP307D es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 35A, d´application: propósito general, diodo integrado
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para BUP307D
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-3P
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:BUP314D
Búsqueda de tipo similar:-
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GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ -
el BUP307D es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 35A, d´application: propósito general, diodo integrado
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Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para BUP307D
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-3P
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GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
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-
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