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PTB20176


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 20/45V
IC 1A
hFE 20-100
Ptot 21W
fT -
TJ -
el PTB20176 es un transistor de silicio NPN, Uce = 20V, Ic = 1A, d´application: Transistor de potencia RF de emisor común destinado a una operación de 26 V CC de 1.78 a 1.92GH... [más]
el PTB20176 es un transistor de silicio NPN, Uce = 20V, Ic = 1A, d´application: Transistor de potencia RF de emisor común destinado a una operación de 26 V CC de 1.78 a 1.92GHz

marking code: 20176
Foto: -
Fuente: Ericsson RF power transis...... [más]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
Información avanzada para PTB20176
OEM:Ericsson Com... [más]
Ericsson Components AB
Paquete: 1
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IC 1A
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el PTB20176 es un transistor de silicio NPN, Uce = 20V, Ic = 1A, d´application: Transistor de potencia RF de emisor común destinado a una operación de 26 V CC de 1.78 a 1.92GHz

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Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
Información avanzada para PTB20176
OEM:Ericsson Com... [más]
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