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PTB20170


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 55/55V
IC 6.7A
hFE 20-120
Ptot 123W
fT -
TJ -
el PTB20170 es un transistor de silicio NPN, Uce = 55V, Ic = 6.7A, d´application: Transistor de potencia RF de emisor común destinado a una operación de clase AB de 26Vdc de 9... [más]
el PTB20170 es un transistor de silicio NPN, Uce = 55V, Ic = 6.7A, d´application: Transistor de potencia RF de emisor común destinado a una operación de clase AB de 26Vdc de 925 a 960MHz

marking code: 20170
Foto: -
Fuente: Ericsson RF power transis...... [más]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
Información avanzada para PTB20170
OEM:Ericsson Com... [más]
Ericsson Components AB
Paquete: 9
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IC 6.7A
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el PTB20170 es un transistor de silicio NPN, Uce = 55V, Ic = 6.7A, d´application: Transistor de potencia RF de emisor común destinado a una operación de clase AB de 26Vdc de 925 a 960MHz

marking code: 20170
Foto: -
Fuente: Ericsson RF power transis...... [más]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
Información avanzada para PTB20170
OEM:Ericsson Com... [más]
Ericsson Components AB
Paquete: 9
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