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P14


SI NPN darlington transistor
GFX
UCE/UCB 30/30V
IC 0.5A
hFE 10-20k
Ptot 625mW
fT >125MHz
TJ 150°C
el P14 es un transistor de silicio NPN darlington, Uce = 30V, Ic = 500mA, d´application: propósito general
Foto: -
Fuente: KSP14
Información avanzada para P14
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete: TO-92
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

P14


SI NPN darlington transistor
GFX
UCE/UCB 30/30V
IC 0.5A
hFE 10-20k
Ptot 625mW
fT >125MHz
TJ 150°C
el P14 es un transistor de silicio NPN darlington, Uce = 30V, Ic = 500mA, d´application: propósito general
Foto: -
Fuente: KSP14
Información avanzada para P14
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete: TO-92
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GFX
UCE/UCB 30/30V
IC 0.5A
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Ptot 625mW
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el P14 es un transistor de silicio NPN darlington, Uce = 30V, Ic = 500mA, d´application: propósito general
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