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MJD112


SI NPN darlington transistor
UCE/UCB 100/100V
IC 2A
hFE 0.2-12k
Ptot 20W
fT >25MHz
TJ 150°C
el MJD112 es un transistor de silicio NPN darlington, Uce = 100V, Ic = 2A, d´application: propósito general de potencia, conmutación
Foto: -
Fuente: datasheet
Información avanzada para MJD112
OEM:Motorola Sem... [más]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Paquete:CASE369A
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
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IC 2A
hFE 0.2-12k
Ptot 20W
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