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B669A


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -90/-90V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
fT -
TJ -
el B669A es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 90V, Ic = 4A, d´application: transistor de potencia
Foto: -
Fuente: 2SB669A
Información avanzada para B669A
OEM:Matsushita D... [más]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Paquete: TO-220
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Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑BDW24C, [más]
BDW24C,BDW54C,BDW64C,2SB1339
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B669A


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -90/-90V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
fT -
TJ -
el B669A es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 90V, Ic = 4A, d´application: transistor de potencia
Foto: -
Fuente: 2SB669A
Información avanzada para B669A
OEM:Matsushita D... [más]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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Lista de tipos similares: ↑BDW24C, [más]
BDW24C,BDW54C,BDW64C,2SB1339
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B669A


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -90/-90V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
fT -
TJ -
el B669A es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 90V, Ic = 4A, d´application: transistor de potencia
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Fuente: 2SB669A
Información avanzada para B669A
OEM:Matsushita D... [más]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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BDW24C,BDW54C,BDW64C,2SB1339
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

BDW24C


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -6A
hFE 0.75-20k
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
el BDW24C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 6A, d´application: uso en aplicaciones de energía
Foto: -
Fuente: SGS ATES Databook discret...... [más]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
Tipo similar: BDW24C
OEM:Ates Compone... [más]
Ates Component Electronics (SGS)
Paquete: TO-220
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Tipo complementario:BDW23C
Lista de tipos similares: ↑see BDW24C
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BDW24C


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -6A
hFE 0.75-20k
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
el BDW24C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 6A, d´application: uso en aplicaciones de energía
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Fuente: SGS ATES Databook discret...... [más]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
Tipo similar: BDW24C
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Tipo complementario:BDW23C
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BDW24C


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -6A
hFE 0.75-20k
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
el BDW24C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 6A, d´application: uso en aplicaciones de energía
Foto: -
Fuente: SGS ATES Databook discret...... [más]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
Tipo similar: BDW24C
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Ates Component Electronics (SGS)
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

BDW54C


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
el BDW54C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 4A, d´application: transistor de potencia, audiofrecuencia, diodo integrado
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: BDW54C
OEM:Texas Instru... [más]
Texas Instruments
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BDW24C,BDW64C
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BDW54C


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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
el BDW54C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 4A, d´application: transistor de potencia, audiofrecuencia, diodo integrado
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Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: BDW54C
OEM:Texas Instru... [más]
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BDW54C


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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
el BDW54C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 4A, d´application: transistor de potencia, audiofrecuencia, diodo integrado
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Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: BDW54C
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Texas Instruments
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

BDW64C


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -6A
hFE >750
Ptot 60W
fT >1MHz
TJ -
el BDW64C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 6A, d´application: transistor de potencia, audiofrecuencia, diodo integrado
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Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: BDW64C
OEM:Texas Instru... [más]
Texas Instruments
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BD650,BD902,BDW24C,BDX54C
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BDW64C


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -6A
hFE >750
Ptot 60W
fT >1MHz
TJ -
el BDW64C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 6A, d´application: transistor de potencia, audiofrecuencia, diodo integrado
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Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: BDW64C
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BDW64C


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -6A
hFE >750
Ptot 60W
fT >1MHz
TJ -
el BDW64C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 6A, d´application: transistor de potencia, audiofrecuencia, diodo integrado
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Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: BDW64C
OEM:Texas Instru... [más]
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BD650,BD902,BDW24C,BDX54C
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2SB1339


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -6A
hFE 2-20k
Ptot 40W
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TJ -
el 2SB1339 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 120V, Ic = 6A, d´application: diodo integrado
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Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: 2SB1339
OEM:Rohm Corpora... [más]
Rohm Corporation Ltd. Japan
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Tipo complementario:2SD1888
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2SB1339


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -6A
hFE 2-20k
Ptot 40W
fT -
TJ -
el 2SB1339 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 120V, Ic = 6A, d´application: diodo integrado
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Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: 2SB1339
OEM:Rohm Corpora... [más]
Rohm Corporation Ltd. Japan
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2SB1339


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -6A
hFE 2-20k
Ptot 40W
fT -
TJ -
el 2SB1339 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 120V, Ic = 6A, d´application: diodo integrado
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Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: 2SB1339
OEM:Rohm Corpora... [más]
Rohm Corporation Ltd. Japan
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