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B639


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 100W
fT -
TJ -
el B639 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 10A, d´application: diodo integrado
Foto: -
Fuente: 2SB639
Información avanzada para B639
OEM:Hitachi Ltd.... [más]
Hitachi Ltd. Japan
Paquete: TO-3
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario: ↑2SD629
Lista de tipos similares:BDV64B, [más]
BDV64B,BDX84C,BDX86C,2N6052
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B639


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 100W
fT -
TJ -
el B639 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 10A, d´application: diodo integrado
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Fuente: 2SB639
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Hitachi Ltd. Japan
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SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 100W
fT -
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el B639 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 10A, d´application: diodo integrado
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2SD629


SI NPN darlington transistor
Tipo complementario a B639
GFX
UCE/UCB 100/100V
IC 10A
hFE 1-20k
Ptot 100W
fT -
TJ -
el 2SD629 es un transistor de silicio NPN darlington, Uce = 100V, Ic = 10A, d´application: diodo integrado
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo complementario: 2SD629
OEM:Hitachi Ltd.... [más]
Hitachi Ltd. Japan
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Tipo complementario: ↑2SB639
Lista de tipos similares:BDV65B, [más]
BDV65B,BDX83C,BDX85C,2N6059
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SI NPN darlington transistor
Tipo complementario a B639
GFX
UCE/UCB 100/100V
IC 10A
hFE 1-20k
Ptot 100W
fT -
TJ -
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Jaeger electronic catalog 1999
Tipo complementario: 2SD629
OEM:Hitachi Ltd.... [más]
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Tipo complementario a B639
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UCE/UCB 100/100V
IC 10A
hFE 1-20k
Ptot 100W
fT -
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Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo complementario: 2SD629
OEM:Hitachi Ltd.... [más]
Hitachi Ltd. Japan
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