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B615


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -110/-110V
IC -7A
hFE 1.1-24k
Ptot 80W
fT -
TJ -
el B615 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 110V, Ic = 7A
Foto: -
Fuente: 2SB615
Información avanzada para B615
OEM:Mitsubishi E... [más]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Paquete: TO-3
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:2SD585
Lista de tipos similares: ↑BDV64C, [más]
BDV64C,BDX62C,BDX64C,2SA1183
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B615


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -110/-110V
IC -7A
hFE 1.1-24k
Ptot 80W
fT -
TJ -
el B615 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 110V, Ic = 7A
Foto: -
Fuente: 2SB615
Información avanzada para B615
OEM:Mitsubishi E... [más]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Paquete: TO-3
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OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:2SD585
Lista de tipos similares: ↑BDV64C, [más]
BDV64C,BDX62C,BDX64C,2SA1183
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B615


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -110/-110V
IC -7A
hFE 1.1-24k
Ptot 80W
fT -
TJ -
el B615 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 110V, Ic = 7A
Foto: -
Fuente: 2SB615
Información avanzada para B615
OEM:Mitsubishi E... [más]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Paquete: TO-3
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OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:2SD585
Lista de tipos similares: ↑BDV64C, [más]
BDV64C,BDX62C,BDX64C,2SA1183
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

BDV64C


SI PNP darlington transistor
similar a B615 ver nota
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -12A
hFE ≥1000
Ptot 125W
fT -
TJ -
el BDV64C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 120V, Ic = 12A, d´application: propósito general de potencia
Foto: -
Fuente: PSC Philips Semiconductor...... [más]
PSC Philips Semiconductors 1979/80
Tipo similar: BDV64C
OEM:Philips Semi... [más]
Philips Semiconductors
Paquete: SOT93
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑BDV66C, [más]
BDV66C,BDW84D
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BDV64C


SI PNP darlington transistor
similar a B615 ver nota
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -12A
hFE ≥1000
Ptot 125W
fT -
TJ -
el BDV64C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 120V, Ic = 12A, d´application: propósito general de potencia
Foto: -
Fuente: PSC Philips Semiconductor...... [más]
PSC Philips Semiconductors 1979/80
Tipo similar: BDV64C
OEM:Philips Semi... [más]
Philips Semiconductors
Paquete: SOT93
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Lista de tipos similares: ↑BDV66C, [más]
BDV66C,BDW84D
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BDV64C


SI PNP darlington transistor
similar a B615 ver nota
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -12A
hFE ≥1000
Ptot 125W
fT -
TJ -
el BDV64C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 120V, Ic = 12A, d´application: propósito general de potencia
Foto: -
Fuente: PSC Philips Semiconductor...... [más]
PSC Philips Semiconductors 1979/80
Tipo similar: BDV64C
OEM:Philips Semi... [más]
Philips Semiconductors
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BDV66C,BDW84D
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

BDX62C


SI PNP darlington transistor
similar a B615 ver nota
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -8A
hFE >1000
Ptot 90W
fT 7MHz
TJ 200°C
el BDX62C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 120V, Ic = 8A, d´application: amplificador de potencia, conmutador
Foto: -
Fuente: Va Valvo Halbleiterbauele...... [más]
Va Valvo Halbleiterbauelemente 1976
Tipo similar: BDX62C
OEM:Valvo GmbH
Paquete: TO-3
Hoja de datos (jpg):-
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OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:BDX63C
Lista de tipos similares: ↑BDX64C
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BDX62C


SI PNP darlington transistor
similar a B615 ver nota
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -8A
hFE >1000
Ptot 90W
fT 7MHz
TJ 200°C
el BDX62C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 120V, Ic = 8A, d´application: amplificador de potencia, conmutador
Foto: -
Fuente: Va Valvo Halbleiterbauele...... [más]
Va Valvo Halbleiterbauelemente 1976
Tipo similar: BDX62C
OEM:Valvo GmbH
Paquete: TO-3
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Tipo complementario:BDX63C
Lista de tipos similares: ↑BDX64C
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BDX62C


SI PNP darlington transistor
similar a B615 ver nota
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -8A
hFE >1000
Ptot 90W
fT 7MHz
TJ 200°C
el BDX62C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 120V, Ic = 8A, d´application: amplificador de potencia, conmutador
Foto: -
Fuente: Va Valvo Halbleiterbauele...... [más]
Va Valvo Halbleiterbauelemente 1976
Tipo similar: BDX62C
OEM:Valvo GmbH
Paquete: TO-3
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OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:BDX63C
Lista de tipos similares: ↑BDX64C
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

BDX64C


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC DC/AC -12/-16A
hFE >1000
Ptot 117W
fT 7MHz
TJ 200°C
el BDX64C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 120V, Ic = 12A, d´application: amplificador de potencia, conmutador
Foto: -
Fuente: Va Valvo Halbleiterbauele...... [más]
Va Valvo Halbleiterbauelemente 1976
Tipo similar: BDX64C
OEM:Valvo GmbH
Paquete: TO-3
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Tipo complementario:BDX65C
Lista de tipos similares: ↑BDX66C, [más]
BDX66C,MJ11017
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BDX64C


SI PNP darlington transistor
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GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC DC/AC -12/-16A
hFE >1000
Ptot 117W
fT 7MHz
TJ 200°C
el BDX64C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 120V, Ic = 12A, d´application: amplificador de potencia, conmutador
Foto: -
Fuente: Va Valvo Halbleiterbauele...... [más]
Va Valvo Halbleiterbauelemente 1976
Tipo similar: BDX64C
OEM:Valvo GmbH
Paquete: TO-3
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Tipo complementario:BDX65C
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BDX66C,MJ11017
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BDX64C


SI PNP darlington transistor
similar a B615 ver nota
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC DC/AC -12/-16A
hFE >1000
Ptot 117W
fT 7MHz
TJ 200°C
el BDX64C es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 120V, Ic = 12A, d´application: amplificador de potencia, conmutador
Foto: -
Fuente: Va Valvo Halbleiterbauele...... [más]
Va Valvo Halbleiterbauelemente 1976
Tipo similar: BDX64C
OEM:Valvo GmbH
Paquete: TO-3
Hoja de datos (jpg):-
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OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:BDX65C
Lista de tipos similares: ↑BDX66C, [más]
BDX66C,MJ11017
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

2SA1183


SI PNP darlington transistor
similar a B615 ver nota
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -7A
hFE 15000
Ptot 70W
fT -
TJ -
el 2SA1183 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 120V, Ic = 7A, d´application: etapa de audiofrecuencia, transistor de potencia, conmutador
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: 2SA1183
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete:-
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BDV64C,2SB1557
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2SA1183


SI PNP darlington transistor
similar a B615 ver nota
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -7A
hFE 15000
Ptot 70W
fT -
TJ -
el 2SA1183 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 120V, Ic = 7A, d´application: etapa de audiofrecuencia, transistor de potencia, conmutador
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: 2SA1183
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete:-
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BDV64C,2SB1557
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2SA1183


SI PNP darlington transistor
similar a B615 ver nota
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -7A
hFE 15000
Ptot 70W
fT -
TJ -
el 2SA1183 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 120V, Ic = 7A, d´application: etapa de audiofrecuencia, transistor de potencia, conmutador
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: 2SA1183
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete:-
Hoja de datos (jpg):-
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OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑BDV64C, [más]
BDV64C,2SB1557
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