| GT8J102
SI N-IGBT transistor | | | UCE | 600V | | | UGE | 20V | | IC | 8A | | Ptot | 50W | | TON/TOFF | 400/500nS | | TJ | 150°C | | Foto: | - | | Fuente: | Toshiba IGBT Databook 199...... [más] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | información avanzada para GT8J102 | | OEM: | Toshiba Toky... [más] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Paquete: | 2-10S2C | | Hoja de datos (jpg): | disponible | | Hoja de datos (pdf): | disponible | | OEM Hoja de datos: | - | Tipo complementario:
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