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GT5J311


SI N-IGBT transistor
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 5/10A
Ptot 45W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
el GT5J311 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 5A, d´application: uso en aplicaciones de energía
Foto: -
Fuente: datasheet
información avanzada para GT5J311
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete:2-10S1C
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
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UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 5/10A
Ptot 45W
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el GT5J311 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 5A, d´application: uso en aplicaciones de energía
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Fuente: datasheet
información avanzada para GT5J311
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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UGE ±20V
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Ptot 45W
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el GT5J311 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 5A, d´application: uso en aplicaciones de energía
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