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BUP200D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
el BUP200D es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: propósito general, diodo integrado
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para BUP200D
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-220AB
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
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SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
el BUP200D es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: propósito general, diodo integrado
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Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para BUP200D
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-220AB
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GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
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OEM:Siemens AG
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-
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-
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