| J612
SI P-MOSFET transistor | | | UDS | -100V | | | IDS | ±-2A | | UGS | - | | RDS(ON) | <0.45Ω | | Ptot | 20W | | TON/TOFF | 30/100nS | | Foto: | - | | Fuente: | 2SJ612 | | | Información avanzada para J612 | | OEM: | Nippon Elect... [más] Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan | | Paquete: | - | | Hoja de datos (jpg): | - | | Hoja de datos (pdf): | - | | OEM Hoja de datos: | - | Tipo complementario:
| - | Lista de tipos similares:
| - | | Búsqueda de tipo similar: | Buscar Similar | | | buscar una parte: | buscar |
|
