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J55


SI P-MOSFET transistor
GFX
UDS -180V
IDS -8A
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 125W
TON/TOFF 320/120nS
el J55 es un transistor de silicio P-MOSFET, Uds = 180V, Ids = 8A, d´application: etapa de audiofrecuencia, transistor de potencia
Foto: -
Fuente: 2SJ55
Información avanzada para J55
OEM:Hitachi Ltd.... [más]
Hitachi Ltd. Japan
Paquete: TO-3
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario: ↓2SK175
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

J55


SI P-MOSFET transistor
GFX
UDS -180V
IDS -8A
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 125W
TON/TOFF 320/120nS
el J55 es un transistor de silicio P-MOSFET, Uds = 180V, Ids = 8A, d´application: etapa de audiofrecuencia, transistor de potencia
Foto: -
Fuente: 2SJ55
Información avanzada para J55
OEM:Hitachi Ltd.... [más]
Hitachi Ltd. Japan
Paquete: TO-3
Hoja de datos (jpg):disponible
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OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario: ↓2SK175
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SI P-MOSFET transistor
GFX
UDS -180V
IDS -8A
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 125W
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el J55 es un transistor de silicio P-MOSFET, Uds = 180V, Ids = 8A, d´application: etapa de audiofrecuencia, transistor de potencia
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Fuente: 2SJ55
Información avanzada para J55
OEM:Hitachi Ltd.... [más]
Hitachi Ltd. Japan
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