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T812


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -40/-50V
IC -0.1A
hFE 60-600
Ptot 350mW
fT -
TJ 150°C
el T812 es un transistor de silicio PNP, Uce = 40V, Ic = 100mA, d´application: propósito general
Foto: -
Fuente: KST812
Información avanzada para T812
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete: SOT-23
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

T812


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GFX
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IC -0.1A
hFE 60-600
Ptot 350mW
fT -
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IC -0.1A
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