R
X
G
Página:

T5551


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 160/180V
IC 0.6A
hFE 30-250
Ptot 625mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
el T5551 es un transistor de silicio NPN, Uce = 160V, Ic = 600mA, d´application: amplificador
Foto: -
Fuente: KST5551
Información avanzada para T5551
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete: SOT-23
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

T5551


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 160/180V
IC 0.6A
hFE 30-250
Ptot 625mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
el T5551 es un transistor de silicio NPN, Uce = 160V, Ic = 600mA, d´application: amplificador
Foto: -
Fuente: KST5551
Información avanzada para T5551
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete: SOT-23
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

T5551


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 160/180V
IC 0.6A
hFE 30-250
Ptot 625mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
el T5551 es un transistor de silicio NPN, Uce = 160V, Ic = 600mA, d´application: amplificador
Foto: -
Fuente: KST5551
Información avanzada para T5551
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete: SOT-23
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar