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R1001


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >20
Ptot 300mW
fT >250MHz
TJ 150°C
el R1001 es un transistor de silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: resistencia de polarización integrada, conmutación
Foto: -
Fuente: KSR1001
Información avanzada para R1001
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete: TO-92
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:-
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GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >20
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fT >250MHz
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el R1001 es un transistor de silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: resistencia de polarización integrada, conmutación
Foto: -
Fuente: KSR1001
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OEM:Samsung Elec... [más]
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IC 0.1A
hFE >20
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