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PTB23001X


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 35/40V
IC 0.25A
hFE -
Ptot 4.2W
fT 2GHz
TJ 200°C
el PTB23001X es un transistor de silicio NPN, Uce = 35V, Ic = 250mA, d´application: Transistor de potencia de microondas preferido para su uso como base común, aplicaciones de amplif... [más]
el PTB23001X es un transistor de silicio NPN, Uce = 35V, Ic = 250mA, d´application: Transistor de potencia de microondas preferido para su uso como base común, aplicaciones de amplificador de potencia clase C de hasta 4.2GHz

marking code: 3201X
Foto: -
Fuente: PSC Philips Data Handbook...... [más]
PSC Philips Data Handbook SC19a
Información avanzada para PTB23001X
OEM:Philips Semi... [más]
Philips Semiconductors
Paquete: SOT440A
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
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PTB23001X


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 35/40V
IC 0.25A
hFE -
Ptot 4.2W
fT 2GHz
TJ 200°C
el PTB23001X es un transistor de silicio NPN, Uce = 35V, Ic = 250mA, d´application: Transistor de potencia de microondas preferido para su uso como base común, aplicaciones de amplif... [más]
el PTB23001X es un transistor de silicio NPN, Uce = 35V, Ic = 250mA, d´application: Transistor de potencia de microondas preferido para su uso como base común, aplicaciones de amplificador de potencia clase C de hasta 4.2GHz

marking code: 3201X
Foto: -
Fuente: PSC Philips Data Handbook...... [más]
PSC Philips Data Handbook SC19a
Información avanzada para PTB23001X
OEM:Philips Semi... [más]
Philips Semiconductors
Paquete: SOT440A
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PTB23001X


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 35/40V
IC 0.25A
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fT 2GHz
TJ 200°C
el PTB23001X es un transistor de silicio NPN, Uce = 35V, Ic = 250mA, d´application: Transistor de potencia de microondas preferido para su uso como base común, aplicaciones de amplif... [más]
el PTB23001X es un transistor de silicio NPN, Uce = 35V, Ic = 250mA, d´application: Transistor de potencia de microondas preferido para su uso como base común, aplicaciones de amplificador de potencia clase C de hasta 4.2GHz

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