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BA1L3N


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
el BA1L3N es un transistor de silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: conmutador, Rb 4.7k, Rbe 10k integrado
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para BA1L3N
OEM:Nippon Elect... [más]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Paquete:-
Hoja de datos (jpg):-
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OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario: ↑BN1L3N
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GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
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el BA1L3N es un transistor de silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: conmutador, Rb 4.7k, Rbe 10k integrado
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IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
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GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
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el BN1L3N es un transistor de silicio PNP, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: conmutador, Rb 4.7kOhm, Rbe 10kOhm integrado
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Tipo complementario: BN1L3N
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UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
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Ptot 250mW
fT -
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el BN1L3N es un transistor de silicio PNP, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: conmutador, Rb 4.7kOhm, Rbe 10kOhm integrado
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