R
X
G
Página:

AF109


GE PNP transistor
GFX
UCE/UCB -18/-25V
IC -12mA
hFE >20
Ptot 33mW
fT 200MHz
TJ 75°C
el AF109 es un transistor de germanium PNP, Uce = 18V, Ic = 12mA, d´application: etapas del oscilador, hasta 260MHz, mezclador, entrada
Foto: -
Fuente: SH Halbleiter DB 1963
Información avanzada para AF109
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-18
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

AF109


GE PNP transistor
GFX
UCE/UCB -18/-25V
IC -12mA
hFE >20
Ptot 33mW
fT 200MHz
TJ 75°C
el AF109 es un transistor de germanium PNP, Uce = 18V, Ic = 12mA, d´application: etapas del oscilador, hasta 260MHz, mezclador, entrada
Foto: -
Fuente: SH Halbleiter DB 1963
Información avanzada para AF109
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-18
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

AF109


GE PNP transistor
GFX
UCE/UCB -18/-25V
IC -12mA
hFE >20
Ptot 33mW
fT 200MHz
TJ 75°C
el AF109 es un transistor de germanium PNP, Uce = 18V, Ic = 12mA, d´application: etapas del oscilador, hasta 260MHz, mezclador, entrada
Foto: -
Fuente: SH Halbleiter DB 1963
Información avanzada para AF109
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-18
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar