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MGY30N60D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 50A
Ptot 202W
TON/TOFF 156/536nS
TJ -
el MGY30N60D es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 50A, d´application: propósito general de potencia
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para MGY30N60D
OEM:Motorola Sem... [más]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Paquete:TOP-3L
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GT50J301,GT60M301
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MGY30N60D


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GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 50A
Ptot 202W
TON/TOFF 156/536nS
TJ -
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UCE 600V
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IC 50A
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

GT50J301


SI N-IGBT transistor
similar to MGY30N60D, see note
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
el GT50J301 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 50A, d´application: conmutador de potencia, diodo integrado
Foto: -
Fuente: Toshiba IGBT Databook 199...... [más]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Tipo similar: GT50J301
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete:2-21F2C
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GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
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GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
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TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
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GT60M301


SI N-IGBT transistor
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GFX
UCE 900V
UGE ±25V
IC DC/AC 60/120A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/500nS
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UCE 900V
UGE ±25V
IC DC/AC 60/120A
Ptot 200W
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TJ 150°C
el GT60M301 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 900V, Ic = 60A, d´application: conmutador de potencia, diodo integrado
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UCE 900V
UGE ±25V
IC DC/AC 60/120A
Ptot 200W
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el GT60M301 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 900V, Ic = 60A, d´application: conmutador de potencia, diodo integrado
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