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MG120V2YS40


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1700V
UGE ±20V
IC DC/AC 120/240A
Ptot 1.2kW
TON/TOFF 500/1000nS
TJ 150°C
el MG120V2YS40 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.7kV, Ic = 120A, d´application: conmutador de alta potencia, par de transistor, control de motor
Foto: -
Fuente: Toshiba IGBT Databook 199...... [más]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Información avanzada para MG120V2YS40
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete:2-109C1A
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):disponible
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
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TJ 150°C
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
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