| GT60M105
SI N-IGBT transistor | | | UCE | 900V | | | UGE | ±25V | | IC DC/AC | 60/120A | | Ptot | 200W | | TON/TOFF | 350/800nS | | TJ | 150°C | | Foto: | - | | Fuente: | Toshiba Databook Power MO...... [más] Toshiba Databook Power MOSFETs 1996 | | | Información avanzada para GT60M105 | | OEM: | Toshiba Toky... [más] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Paquete: | 2-21F2C | | Hoja de datos (jpg): | disponible | | Hoja de datos (pdf): | disponible | | OEM Hoja de datos: | - | Tipo complementario:
| - | | Lista de tipos similares: ↓ | GN9060E | | Búsqueda de tipo similar: | - | | | buscar una parte: | buscar |
|
