GT60M104 SI N-IGBT transistor | | UCE | 900V | | UGE | ±25V | IC DC/AC | 60/120A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 350/500nS | TJ | 150°C | Foto: | - | Fuente: | Toshiba Databook Power MO...... [más] Toshiba Databook Power MOSFETs 1996 | | Información avanzada para GT60M104 | OEM: | Toshiba Toky... [más] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Paquete: | 2-21F2C | Hoja de datos (jpg): | disponible | Hoja de datos (pdf): | disponible | OEM Hoja de datos: | - | Tipo complementario:
| - | Lista de tipos similares: ↓ | GN9060E | Búsqueda de tipo similar: | - | | buscar una parte: | buscar |
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