| GT60M102
SI N-IGBT transistor | | | UCE | 900V | | | UGE | 25V | | IC | 60A | | Ptot | 200W | | TON/TOFF | 350/800nS | | TJ | - | | Foto: | - | | Fuente: | Jaeger electronic catalog...... [más] Jaeger electronic catalog 1999 | | | información avanzada para GT60M102 | | OEM: | Toshiba Toky... [más] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Paquete: | TOP-3L | | Hoja de datos (jpg): | - | | Hoja de datos (pdf): | - | | OEM Hoja de datos: | - | Tipo complementario:
| - | | Lista de tipos similares: ↓ | GN9060E | | Búsqueda de tipo similar: | - | | | buscar una parte: | buscar |
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