| GT15Q101
SI N-IGBT transistor | | | Uce: | 1200V | | | Uge: | ±20V | | Ic: DC/AC | 15/30A | | N: | 150W | | Ton/Toff: | 400/800nS | | Tmax: | 150°C | | Foto: | - | | Fuente: | Toshiba IGBT Databook 199...... [más] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | información avanzada para GT15Q101 | | OEM: | Toshiba Toky... [más] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Paquete: | 2-16C1C | | Hoja de datos (jpg): | disponible | | Hoja de datos (pdf): | disponible | Tipo complementario:
| - | | Lista de tipos similares: ↓ | GN12015C | | Búsqueda de tipo similar: | - | | | buscar una parte: | buscar |
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