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GN12030E


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
fT -
TJ -
el GN12030E es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, d´application: uso en aplicaciones de energía
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para GN12030E
OEM:Hitachi Ltd.... [más]
Hitachi Ltd. Japan
Paquete:TOP-3L
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares:GT40T101, [más]
GT40T101,MGY25N120
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GN12030E


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
fT -
TJ -
el GN12030E es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, d´application: uso en aplicaciones de energía
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Jaeger electronic catalog 1999
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GN12030E


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GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
fT -
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el GN12030E es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, d´application: uso en aplicaciones de energía
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Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para GN12030E
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GT40T101,MGY25N120
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

GT40T101


SI N-IGBT transistor
similar to GN12030E, see note
GFX
UCE 1500V
UGE ±25V
IC DC/AC 40/80A
Ptot 200W
TON/TOFF 700/500nS
TJ 150°C
el GT40T101 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.5kV, Ic = 40A, d´application: conmutador de potencia
Foto: -
Fuente: Toshiba IGBT Databook 199...... [más]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Tipo similar: GT40T101
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete:2-21F2C
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GT40T101


SI N-IGBT transistor
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GFX
UCE 1500V
UGE ±25V
IC DC/AC 40/80A
Ptot 200W
TON/TOFF 700/500nS
TJ 150°C
el GT40T101 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.5kV, Ic = 40A, d´application: conmutador de potencia
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
Tipo similar: GT40T101
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GT40T101


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GFX
UCE 1500V
UGE ±25V
IC DC/AC 40/80A
Ptot 200W
TON/TOFF 700/500nS
TJ 150°C
el GT40T101 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.5kV, Ic = 40A, d´application: conmutador de potencia
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Fuente: Toshiba IGBT Databook 199...... [más]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Tipo similar: GT40T101
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MGY25N120


SI N-IGBT transistor
similar to GN12030E, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 38A
Ptot 212W
TON/TOFF 215/506nS
TJ -
el MGY25N120 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 38A, d´application: propósito general de potencia
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Tipo similar: MGY25N120
OEM:Motorola Sem... [más]
Motorola Semiconductor Products Inc.
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Lista de tipos similares:GN12050E
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MGY25N120


SI N-IGBT transistor
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GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 38A
Ptot 212W
TON/TOFF 215/506nS
TJ -
el MGY25N120 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 38A, d´application: propósito general de potencia
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Tipo similar: MGY25N120
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Motorola Semiconductor Products Inc.
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MGY25N120


SI N-IGBT transistor
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GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 38A
Ptot 212W
TON/TOFF 215/506nS
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el MGY25N120 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 38A, d´application: propósito general de potencia
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Tipo similar: MGY25N120
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Tipo complementario:-
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