Lookbooks
R
X
G
Página:

ZA250/6


si z- diode
UZ 5.3-6.7V
IZ 3mA
rdiff 110Ω
Ptot 0.25W
TJ 150°C
- -
the ZA250/6 is a silicon z - diode preferred for use in stabilisation applications
Foto: -
Fuente: RFT Halbleiter Bauelement...... [más]
RFT Halbleiter Bauelemente 1963
Información avanzada para ZA250/6
OEM:RFT electron... [más]
RFT electronic, VEB Bauelemente
Paquete:-
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

ZA250/6


si z- diode
UZ 5.3-6.7V
IZ 3mA
rdiff 110Ω
Ptot 0.25W
TJ 150°C
- -
the ZA250/6 is a silicon z - diode preferred for use in stabilisation applications
Foto: -
Fuente: RFT Halbleiter Bauelement...... [más]
RFT Halbleiter Bauelemente 1963
Información avanzada para ZA250/6
OEM:RFT electron... [más]
RFT electronic, VEB Bauelemente
Paquete:-
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

ZA250/6


si z- diode
UZ 5.3-6.7V
IZ 3mA
rdiff 110Ω
Ptot 0.25W
TJ 150°C
- -
the ZA250/6 is a silicon z - diode preferred for use in stabilisation applications
Foto: -
Fuente: RFT Halbleiter Bauelement...... [más]
RFT Halbleiter Bauelemente 1963
Información avanzada para ZA250/6
OEM:RFT electron... [más]
RFT electronic, VEB Bauelemente
Paquete:-
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar