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tabla de datos del diode 1AZ8.2

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1AZ8.2


si z- diode


Tos/3-3E1A
Uz: 8.2V
Iz: 10mA
Rz: 30Ω
N: 1W
Tmax: 150°C
the 1AZ8.2 is a silicon Z-diode, Uz = 8.2V, Iz = 10mA
Fuente: datasheet
Foto: -
información avanzada para 1AZ8.2

OEM:Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: 3-3E1A
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
Tipo complementario:
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Lista de tipos similares:
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