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1AZ330


si z- diode
GFX
UZ 297-363V
IZ 0.5mA
rdiff 5kΩ
Ptot 1W
TJ 150°C
- -
the 1AZ330 is a silicon Z-diode, Uz = 297-363V, Iz = 0.5mA
Foto: -
Fuente: datasheet
Información avanzada para 1AZ330
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: 3-3E1A
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GFX
UZ 297-363V
IZ 0.5mA
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the 1AZ330 is a silicon Z-diode, Uz = 297-363V, Iz = 0.5mA
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UZ 297-363V
IZ 0.5mA
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the 1AZ330 is a silicon Z-diode, Uz = 310-330V, Iz = 0.5mA
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UZ 320-340V
IZ 0.5mA
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1AZ330


si z- diode
GFX
UZ 330-350V
IZ 0.5mA
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- -
the 1AZ330 is a silicon Z-diode, Uz = 330-350V, Iz = 0.5mA
marking code: Z
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- -
the 1AZ330 is a silicon Z-diode, Uz = 330-350V, Iz = 0.5mA
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IZ 0.5mA
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the 1AZ330 is a silicon Z-diode, Uz = 330-350V, Iz = 0.5mA
marking code: Z
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