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1AZ300


si z- diode
GFX
UZ 270-330V
IZ 0.5mA
rdiff 5kΩ
Ptot 1W
TJ 150°C
- -
the 1AZ300 is a silicon Z-diode, Uz = 270-330V, Iz = 0.5mA
Foto: -
Fuente: datasheet
Información avanzada para 1AZ300
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: 3-3E1A
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1AZ300


si z- diode
GFX
UZ 270-330V
IZ 0.5mA
rdiff 5kΩ
Ptot 1W
TJ 150°C
- -
the 1AZ300 is a silicon Z-diode, Uz = 270-330V, Iz = 0.5mA
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si z- diode
GFX
UZ 270-330V
IZ 0.5mA
rdiff 5kΩ
Ptot 1W
TJ 150°C
- -
the 1AZ300 is a silicon Z-diode, Uz = 270-330V, Iz = 0.5mA
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GFX
UZ 280-300V
IZ 0.5mA
rdiff 5kΩ
Ptot 1W
TJ 150°C
- -
the 1AZ300 is a silicon Z-diode, Uz = 280-300V, Iz = 0.5mA
marking code: X
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UZ 280-300V
IZ 0.5mA
rdiff 5kΩ
Ptot 1W
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- -
the 1AZ300 is a silicon Z-diode, Uz = 280-300V, Iz = 0.5mA
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GFX
UZ 290-310V
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UZ 290-310V
IZ 0.5mA
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UZ 290-310V
IZ 0.5mA
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TJ 150°C
- -
the 1AZ300 is a silicon Z-diode, Uz = 290-310V, Iz = 0.5mA
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1AZ300


si z- diode
GFX
UZ 300-320V
IZ 0.5mA
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- -
the 1AZ300 is a silicon Z-diode, Uz = 300-320V, Iz = 0.5mA
marking code: Z
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si z- diode
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UZ 300-320V
IZ 0.5mA
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TJ 150°C
- -
the 1AZ300 is a silicon Z-diode, Uz = 300-320V, Iz = 0.5mA
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si z- diode
GFX
UZ 300-320V
IZ 0.5mA
rdiff 5kΩ
Ptot 1W
TJ 150°C
- -
the 1AZ300 is a silicon Z-diode, Uz = 300-320V, Iz = 0.5mA
marking code: Z
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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