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BYW55


si diode
GFX
UR 800V
IF 2A
- -
trr 4µS
- -
TJ 175°C
the BYW55 is a silicon mesa diode preferred for use as power rectifier with control avalanche characteristics, resemble type is 1N5059
Foto: -
Fuente: Tf Telefunken Dioden 1988
Información avanzada para BYW55
OEM:AEG Telefunk... [más]
AEG Telefunken / Telefunken electronic
Paquete: SOD57
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):disponible
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
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BYW55


si diode
GFX
UR 800V
IF 2A
- -
trr 4µS
- -
TJ 175°C
the BYW55 is a silicon mesa diode preferred for use as power rectifier with control avalanche characteristics, resemble type is 1N5059
Foto: -
Fuente: Tf Telefunken Dioden 1988
Información avanzada para BYW55
OEM:AEG Telefunk... [más]
AEG Telefunken / Telefunken electronic
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si diode
GFX
UR 800V
IF 2A
- -
trr 4µS
- -
TJ 175°C
the BYW55 is a silicon mesa diode preferred for use as power rectifier with control avalanche characteristics, resemble type is 1N5059
Foto: -
Fuente: Tf Telefunken Dioden 1988
Información avanzada para BYW55
OEM:AEG Telefunk... [más]
AEG Telefunken / Telefunken electronic
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BYW55


si diode
GFX
UR 800V
IF 2A
- -
trr 2.5µS
- -
TJ 165°C
the BYW55 is a silicon controlled avalanche diode (controlled avalanche)
Foto: -
Fuente: Va Halbleiterdioden 1987
Información avanzada para BYW55
OEM:Valvo GmbH
Paquete: SOD57
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GFX
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IF 2A
- -
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the BYW55 is a silicon controlled avalanche diode (controlled avalanche)
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Fuente: Va Halbleiterdioden 1987
Información avanzada para BYW55
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UR 800V
IF 2A
- -
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the BYW55 is a silicon controlled avalanche diode (controlled avalanche)
Foto: -
Fuente: Va Halbleiterdioden 1987
Información avanzada para BYW55
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si diode
GFX
UR 800V
IF 2A
- -
trr 3µS
UF / IF <0.8V/1A
TJ 175°C
the BYW55 is a silicon diode, U=800V, I=2A, applications: controlled avalanche rectifier
Foto: -
Fuente: Philips Power Diodes 1999
Información avanzada para BYW55
OEM:Philips Semi... [más]
Philips Semiconductors
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UF / IF <0.8V/1A
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the BYW55 is a silicon diode, U=800V, I=2A, applications: controlled avalanche rectifier
Foto: -
Fuente: Philips Power Diodes 1999
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Philips Semiconductors
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UF / IF <0.8V/1A
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Fuente: Philips Power Diodes 1999
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