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G
Página:

BYG80B


si diode
GFX
UR 100V
IF 2.4A
- -
trr 25nS
UF / IF <0.67V/1A
TJ 175°C
the BYG80B is a silicon diode, U=100V, I=2.4A, applications: fast soft recovery controlled avalanche rectifier
marking code: 80BPH
Foto: -
Fuente: Philips Power Diodes 1999
Información avanzada para BYG80B
OEM:Philips Semi... [más]
Philips Semiconductors
Paquete: SOD106
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):disponible
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

BYG80B


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GFX
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IF 2.4A
- -
trr 25nS
UF / IF <0.67V/1A
TJ 175°C
the BYG80B is a silicon diode, U=100V, I=2.4A, applications: fast soft recovery controlled avalanche rectifier
marking code: 80BPH
Foto: -
Fuente: Philips Power Diodes 1999
Información avanzada para BYG80B
OEM:Philips Semi... [más]
Philips Semiconductors
Paquete: SOD106
Hoja de datos (jpg):disponible
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IF 2.4A
- -
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the BYG80B is a silicon diode, U=100V, I=2.4A, applications: fast soft recovery controlled avalanche rectifier
marking code: 80BPH
Foto: -
Fuente: Philips Power Diodes 1999
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OEM:Philips Semi... [más]
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OEM Hoja de datos:-
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