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BAV10


si diode
GFX
UR 60V
IF 300mA
- -
trr 6nS
UF / IF <1V/200mA
TJ 200°C
the BAV10 is a silicon planar epitaxial ultra high speed and high conductance diode primarily intended for core gating in fast memory modules
Foto: -
Fuente: Va Valvo Handbuch Halblei...... [más]
Va Valvo Handbuch Halbleiterdioden 1971
información avanzada para BAV10
OEM:Valvo GmbH
Paquete: DO-35
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

BAV10


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- -
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UF / IF <1V/200mA
TJ 200°C
the BAV10 is a silicon planar epitaxial ultra high speed and high conductance diode primarily intended for core gating in fast memory modules
Foto: -
Fuente: Va Valvo Handbuch Halblei...... [más]
Va Valvo Handbuch Halbleiterdioden 1971
información avanzada para BAV10
OEM:Valvo GmbH
Paquete: DO-35
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OEM:Valvo GmbH
Paquete: DO-35
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