Lookbooks
R
X
G
Página:

R2111


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 200mW
fT 200MHz
TJ 150°C
el R2111 es un transistor de silicio PNP, Uce = 40V, Ic = 100mA, d´application: resistencia de polarización integrada, conmutación
Foto: -
Fuente: KSR2111
Información avanzada para R2111
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete: SOT-23
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar

R2111


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 200mW
fT 200MHz
TJ 150°C
el R2111 es un transistor de silicio PNP, Uce = 40V, Ic = 100mA, d´application: resistencia de polarización integrada, conmutación
Foto: -
Fuente: KSR2111
Información avanzada para R2111
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete: SOT-23
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar

R2111


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 200mW
fT 200MHz
TJ 150°C
el R2111 es un transistor de silicio PNP, Uce = 40V, Ic = 100mA, d´application: resistencia de polarización integrada, conmutación
Foto: -
Fuente: KSR2111
Información avanzada para R2111
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete: SOT-23
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar