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BUP200


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
el BUP200 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: propósito general
Foto: -
Fuente: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [más]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Información avanzada para BUP200
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-220AB
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:-
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BUP200


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
el BUP200 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: propósito general
Foto: -
Fuente: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [más]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Información avanzada para BUP200
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-220AB
Hoja de datos (jpg):disponible
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OEM Hoja de datos:-
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Lista de tipos similares:
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Búsqueda de tipo similar:-
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GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
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el BUP200 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: propósito general
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SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
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OEM:Siemens AG
Paquete: TO-220AB
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OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:-
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